三星發表業界首個12層3D-TSV芯片封裝工藝

2019-10-07 19:06:36 來源:超能網

17日上午,三星電子宣布他們成功研發了新的12層3D-TSV芯片封裝工藝,這是業界首個將3D TSV封裝推進到12層的工藝,而此前最大僅為8層。

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目前比較多見的,運用到3D-TSV封裝技術的產品就是HBM顯存。TSV技術全稱硅穿孔(Through-silicon via),這種技術是在芯片內部通過打孔填充金屬導電材料的方式來實現多層芯片間的互聯,與傳統的PoP(Package on Package)方式相比,它具有更快的速度和更高的密度。因此,它對于采用3D堆疊的芯片意義非凡。

而三星在3D-TSV技術領域中一直是處于領先地位的,新的12層DRAM封裝技術需要在整個封裝中開超過60000個TSV孔,每個孔的厚度不超過一根頭發的二十分之一。

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采用新的12層3D-TSV封裝的芯片厚度仍然與現在的8層HBM2產品相同,為720μm。保持相同的厚度使得客戶無需對現有的設計進行修改即可用上新的12層封裝產品,這意味著直接可以使用更大容量的產品。

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三星電子TSP(測試與系統封裝)部門的執行副總裁Hong-Joo Baek表示:

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