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美光第四代3D NAND芯片出樣,高達128層

2019-10-05 12:02:41 來源:IT之家

日前,美光宣布第一批第四代3D NAND存儲芯片流片已經出樣,全新的第四代3D NAND基于美光的RG架構,預計2020年美光第四代3D NAND閃存將開始商用。盡管如此,美光警告稱,使用新架構的存儲芯片將僅用于特定應用,因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。

美光第四代3D NAND高達128層,陣列設計方法上繼續使用CMOS。美光第四代3D NAND改變了用于柵替換的浮柵技術,這樣可以降低尺寸和成本并提高性能。該技術完全由美光公司開發,沒有英特爾介入。

美光現階段正提高96層3D NAND的產量,并于明年開始大量使用。128層3D NAND硬件不會立即導致每比特成本顯著下降,但是會隨著時間推移而下降。后續工藝節點也可能具有至少128層,并且如果被廣泛使用,它將大大降低產品每比特成本。
 

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